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(c,d)各种关键参数，电力包括基板（Cu，Ni）、压力（APCVD，LPCVD）和碳源（气态，液态和固态）制备的石墨烯性能和成本评估。论文第一作者为北京大学博士研究生邓兵，市场算单通讯作者为彭海琳教授和刘忠范院士。

化交户结图8腔室压力对石墨烯CVD生长的影响(a)不同压力下三种气体流动状态。易用(c)氧化后部分覆盖石墨烯/铜箔的BF-OM图像。以可接受成本批量制备大面积、问题高质量石墨烯是实现石墨烯工业规模应用的先决条件，问题目前诸如机械剥离、液体剥离、SiC上外延生长和化学气相沉积（CVD）等方法已经被开发出来生产具有多种形状、不同尺寸的石墨烯。

解答(c)不同甲烷浓度下在SiO2上利用APCVD合成的石墨烯的光学显微图像。广东(d)玻璃上石墨烯样品的透射显微镜图像。

电力(c)Cu堆积的示意图和其中三层铜箔上生长的石墨烯的拉曼光谱。

(g)部分覆盖石墨烯/Cu箔的DF-OM图像，市场算单中间为双层区域。图3-5 随机森林算法流程图图3-6超导材料的Tc散点图3.2辅助材料测试的表征近年来，化交户结由于原位探针的出现，化交户结使研究人员研究铁电畴结构在外部刺激下的翻转机制成为可能。

发现极性无机材料有更大的带隙能（图3-3），易用所预测的热机械性能与实验和计算的数据基本吻合（图3-4）。问题（f,g）靠近表面显示切换过程的特写镜头。

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